最近，《通讯-化学》在线刊发了北京大学张艳锋研究员和中国科学院大连化学物理研究所傅强研究员联合团队(共同通讯)的研究论文Direct synthesis and in situ characterization of monolayer parallelogrammic rhenium diselenide on gold foil，报道了他们在高质量均一单层的单晶ReSe2的可控制备及其在位表征研究方面的重要进展。他们认为，金箔基底合成ReSe2具有三大优势：(1)高温下不与硒反应生成硒化物;(2)对材料的生长具有催化活性;(3)高温下铼原子在金中的溶解度极低。鉴于此，他们采用常压化学气相沉积(APCVD)方法，发现ReSe2在金上遵循自限制表面催化生长的机制，实现了高质量、均一单层的ReSe2单晶的制备。另外，由于其各向异性的结构特点，金上合成ReSe2的形貌为具有特定角度(~119o)的平行四边形。此外，他们利用ReSe2与金箔基底具有很好导电性的特点，采用LEEM/LEED和STM/STS表征技术，实现了单层ReSe2原子尺度结构、畴区边界以及能带结构等的直接观测。高质量、均一单层、单晶ReSe2的可控制备以及在位表征的系列结果，对材料的基本物性探索和实际应用奠定了坚实的基础。
