近日,来自美国麻省理工学院的Neetesh Singh等人发表了题为Broadband 200-nm second-harmonic generation in silicon in the telecom band的高水平论文。硅以其强大的三阶光学非线性而闻名,表现出高效的超连续谱和四波混频过程。通过电破坏反演对称性和泵浦与信号的准相位匹配,还可以观察到硅中自然抑制的强二阶效应。然而,要产生有效的宽带二次谐波信号,最有希望的技术是匹配泵浦和信号的群速度。该文章利用一个硅波导的色散工程来实现泵和信号之间的群速度匹配,并通过强三阶非线性增加一个额外的自由度来扩大二次谐波。证明了硅中强大的自相位调制和交叉相位调制有助于在O波段将二次谐波扩大200 nm。该文章于近期在线发表在国际顶尖光学期刊《Light: Science Applications》上。