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237780.关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是 ( )
   A.突触前轴突末梢超极化
   B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
   C.突触后膜去极化
   D.突触后膜电位负值增大，出现超极化
   E.突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
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237781.关于条件反射，下列哪项错误 ( )
   A.后天形成，数量无限
   B.具有极大的易变性
   C.具有高度的适应性
   D.可以脱离非条件反射独立形成
   E.条件反射建立的过程就是学习记忆的过程
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237772.对脑血流的自身调节影响最明显药物是 ( )
   A.依托咪酯
   B.瑞芬太尼
   C.咪达唑仑
   D.氟马泽尼
   E.吸入性麻醉药
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237773.下列哪种静脉全麻药可增加脑血流和脑代谢率 ( )
   A.依托咪酯
   B.丙泊酚
   C.硫喷妥钠
   D.咪达唑仑
   E.氯胺酮
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237774.下列哪种全麻药可增加脑代谢率 ( )
   A.硫喷妥钠
   B.地氟烷
   C.氯胺酮
   D.丙泊酚
   E.依托咪酯
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237775.静息时脑平均氧耗量约为多少ml/(100g
   A.1～1.5
   B.2～2.5
   C.3～3.5
   D.4～4.5
   E.5～5.5
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237776.血-脑屏障正常时，血液中可进入脑的物质不包括 ( )
   A.去甲肾上腺素
   B.乙酰胆碱
   C.多巴胺
   D.肾上腺素
   E.以上均否
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237735.神经细胞静息电位形成的机制是
   A.钠离子的平衡电位
   B.氯离子的平衡电位
   C.钙离子的平衡电位
   D.镁、钾、钠离子的平衡电位
   E.钾离子的平衡电位
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237685.喉罩LMA插入失败率为 ( )
   A.2%
   B.3%
   C.4%
   D.5%
   E.10%
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237681.消除咽喉反射的麻醉深度为 ( )
   A.麻醉Ⅰ期
   B.麻醉Ⅱ期
   C.麻醉Ⅲ期1级
   D.麻醉Ⅲ期2级
   E.麻醉Ⅲ期3级
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