☆☆☆☆考点2：突触后电位的类型；

    主要有兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位两类。

    1．兴奋性突触后电位

    突触后膜电位在递质作用下发生去极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性升高，这种电位变化称为兴奋性突触后电位（EPSP）。其产生机制为：突触前膜兴奋并释放兴奋性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Na+和K+的通透性升高→突触后膜发生去极化，即产生兴奋性突触后电位（为一种局部兴奋）。

    2．抑制性突触后电位

    突触后膜电位在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为：抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Cl-通透性升高→突触后膜发生超极化，即产生抑制性突触后电位。

  ☆☆☆☆考点1：突触传递过程；

    突触指反射弧的传入神经元与中枢神经元之间、中枢内神经元与神经元之间，以及传出神经元与效应器细胞之间的连结部位。经典突触为化学性突触，其信息传递媒介为神经递质。

    突触传递过程：当突触前神经元兴奋传到神经末梢时，突触前膜发生去极化，当去极化达一定水平时，即引起前膜上的一种电压门控式Ca2+通道开放，于是细胞外液中的Ca2+进入突触前末梢内。Ca2+进大前膜后起两方面的作用，一是降低轴浆粘度，有利于突触小泡位移；二是消除突触前膜内侧负电位，促进突触小泡和前膜接触、融合和胞裂，最终导致神经递质释放。递质在突触间隙经扩散到达突触后膜，作用于突触后膜上特异性受体或化学门控式通道，引起突触后膜上某些离子通道通透性改变，导致某些带电离子进入突触后膜，从而引起突触后膜的膜电位发生一定程度的去极化或超极化。这种突触后膜上的电位变化称为突触后电位。