专利文献馆2016年12月公益讲座计划

　　主要内容：介绍该领域技术综述撰写思路、撰写方法和检索策略，阐述自旋转移力矩磁阻随机存储器技术现状，分析技术发展路线、专利布局和重要专利等。

　　主要内容：介绍该领域技术综述撰写思路、撰写方法和检索策略，阐述氧化物透明导电薄膜技术现状，分析技术发展路线、专利布局和重要专利等。

　　主要内容：介绍该领域技术综述撰写思路、撰写方法和检索策略，阐述纳米压印光刻技术现状，分析技术发展路线、专利布局和重要专利等。

　　主要内容：介绍该领域技术综述撰写思路、撰写方法和检索策略，阐述AR/VR头戴显示设备的技术现状，分析技术发展路线、专利布局和重要专利等。

　　主要内容：介绍该领域技术综述撰写思路、撰写方法和检索策略，阐述可穿戴电子设备中无线充电技术的技术现状，分析技术发展路线、专利布局和重要专利等。

　　讲座地点：国家知识产权局专利文献馆检索室（1号楼0222房间），参加讲座请提前报名。

　　报名方式：个人：访问国家知识产权局政府网站（）“政务”版块中“文献服务”栏目下的“公益讲座报名”，填写报名表，选择现场或网络参与方式，完成报名登记。

　　单位：访问国家知识产权局政府网站（）“政务”版块中“文献服务”栏目下的“网络课堂单位用户报名”，下载并填写报名表，发送至指定邮箱，完成报名登记。

　　报名网络课堂的用户，讲座举办前一天，查看登记邮箱，收到公益讲座邀请邮件视为报名成功，请根据邮件通知参与讲座。

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